ساخت و مشخصه یابی اپتیکی و لومینسانس لایه های نازک sno2 به روش تبخیر گرمایی

thesis
abstract

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی اکسید قلع با روش تبخیر حرارتی در خلاء (pvd) برروی زیرلایه شیشه ای، در ضخامت های 50،150 و250 نانومترلایه نشانی شدند. سپس فیلم نازک باضخامت 250 نانومتر به مدت 2 ساعت در دو دمای 450و 650 درجه سانتیگراد بازپخت گردید. خواص اپتیکی، ساختاری و فتولومینسانس فیلم های نازک دی اکسید قلع، به کمک آنالیزهای اسپکتروفتومتری، الگوی پراش اشعه ایکس، پراکندگی رامان، طیف مادون قرمز و فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفت. فیلم های اولیه لایه نشانی شده آمورف می باشد در حالیکه با بازپخت این لایه های نازک، ساختار کریستالی جانشین ساختار آمورف می شود. با افزایش دمای بازپخت ساختار بلوری فیلم ها هم بهبود می یابد و گاف انرژی این لایه های نازک با افزایش دمای بازپخت از 3.6 الکترون ولت تا 4.2 الکترون ولت افزایش می یابد.

similar resources

بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی

In this paper, SiO2 thin film is produced by two methods: at the first method, SiO2 is evaporated by the electron gun and oxygen gas is injected to compensate for oxygen loss due to dissociation. At the second method, silicon monoxide is evaporated by thermal evaporation and during the evaporation time, substrate is bombarded by the ion oxygen that produced by an ion source. The refraction inde...

full text

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک سولفیدروی به روش اسپری گرمایی

لایه های نازک سولفید روی به علت کاربردهایشان در وسایل اپتوالکترونیک مانند دیودها، نمایشگرهای صفحه تخت و پوشش های ضد بازتاب در فناوری های سلول های خورشیدی، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از میان انواع روش های لایه نشانی سولفید روی، اسپری گرمایی به دلیل هزینه کم، سادگی، توانایی کنترل شدت لایه نشانی و تهیه لایه های یکنواخت و قابلیت لایه نشانی بر روی سطوح بزرگ، روشی کارآمد می باشد. در این تحقیق،...

ساخت و مشخصه یابی نانومیله های NiO رشدیافته توسط اسپاترینگ RF: مطالعه خواص اپتیکی وآب دوستی

در این پژوهش، ابتدا لایه های نازک نیکل به روش RF اسپاترینگ بر روی زیرلایه لام آزمایشگاهی تشکیل گردید و سپس لایه های اسپاتر شده، در دماهای مختلف در محیط اکسیژن پخت شدند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نوع ساختار را به صورت  نانومیله های به قطر 35  نانومتر نشان  می دهند. با بررسی خواص اپتیکی، محدوده گاف انرژی بینeV 87/3-77/3 مشخص شده؛ همچنین زاویه تماس آب با سطح نمونه های پخت نشده، در حدود...

full text

مشخصه یابی خواص لایه نازک الکترواپتیکی ZnO:Alساخته شده به روش ترکیبی کندوپاش پلاسمایی ساده و اکسیداسیون حرارتی

علاقه به تحقیق و پژوهش در زمینه پلاسماهای غباری که رشته جدیدی در فیزیک پلاسما می‌باشد با توسعه صنعت میکروالکترونیک رشد چشمگیری داشته است. ذرات غبار که تا کنون به عنوان آلودگی در نظر گرفته می‌شدند، امروزه در فنآوری های لایه گذاری برای صنایع میکروالکترونیک، اپتیک، الکترواپتیک استفاده می‌شوند. در اینجا ما روی پوشش با ذرات غبار از طریق ایجاد لایه نازک ZnO:Al کار می‌کنیم. ذرات غبار Zn وAl  می‌باشند....

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023